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氯化铵含量的影响 通过蚀刻再生的化学反应可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1 的再生需要有过量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL， 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1 得不到再生﹐蚀刻速率就会降低 ﹐以至失去蚀刻能力。 所以﹐氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。 随着蚀刻的进行﹐要不 断补加氯化铵。 但是﹐溶液中 CL 含量过高会引起抗蚀层被浸蚀。 一般蚀刻液中 NH4CL 含 量应在 150g/L 左右。
去边（Edge bead removal-EBR）--去胶边的过程，PC镜片批发，通常在涂胶后将溶剂喷在硅片的背面或前 边沿上。 前烘（Soft-bake）-- 在涂胶后用来去除胶溶剂的温度步骤。 ***-- 把涂胶后的硅片，暴露在某种形式的射线下，以在胶上产生隐约的图像 的步骤。 PEB —***以后消除胶里的由衬底反射引起的胶里的驻波的温度步骤。 显影（Development）-- 在***以后分解胶产生掩膜图案的过程。 后烘 (Hard-bake)—用来去除残留溶剂，增加胶的沾着力和耐腐能力，沙井PC镜片，在显影后完成，PC镜片定制，可以包 括 DUV 固胶。

温度的影响

蚀刻速率与温度有着很大的关系， 蚀刻速率会随着温度升高而加快。 蚀刻液温度低 于 40℃﹐蚀刻速率会很慢﹐而蚀刻速率过慢则会增大侧蚀量﹐影响蚀刻质量。 当温度高于 60℃﹐蚀刻速率会明显地增大， 但 NH3 的挥发量也大大地增加﹐导致环境污染并使蚀刻液中 化学组份比例失调。 故一般应控制在 45℃~55℃为宜。

蚀刻液的调整

自动控制调整 随着蚀刻的进行， 蚀刻液中铜的含量不断增加﹐比重亦逐渐升高。 当蚀刻液中铜浓 度达到一定的高度时就要及时调整。 在自动控制补加装置中﹐是利用比重控制器来控制蚀 刻液的比重。 当比重升高时﹐会自动排放出溶液﹐并添加新的补加液﹐使蚀刻液的比重调 整到允许的范围。 补加液要事先配制好并放入补加桶内﹐使补加桶的液面保持在一定的高 度。

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