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蚀刻设备的维护

维护蚀刻设备的***关键因素就是要保证喷嘴的高清洁度及无阻塞物, 使喷嘴能畅顺地 喷射。 阻塞物或结渣会使喷射时产生压力作用, 冲击板面。凭借Selectra系统的丰富功能，芯片制造商能够生产出***的3D设备，并探索新的芯片结构、材料和集成技术。 而喷嘴不清洁﹐则会造成蚀刻 不均匀而使整块电路板报废。明显地﹐设备的维护就是更换破损件和磨损件﹐因喷嘴同样存在着磨损的问题, 所以 更换时应包括喷嘴。 此外﹐更为关键的问题是要保持蚀刻机没有结渣﹐因很多时结渣堆积 过多会对蚀刻液的化学平衡产生影响。

负载（Loading）-- 蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量，可在宏观或微观尺寸下。 纵横比决定蚀刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蚀刻速率决定于纵横比。 终点（Endpoint）-- 在一个蚀刻过程中，平均膜厚被蚀刻干净时的时间点。4精细网印彻底烘干选用硬度中偏低胶刮复墨网印，达到墨层厚而均匀，没有断线与眼，印完一色烘一色（100℃，10分钟），***后一次印完在烘干150℃，1。 光刻胶（Photo-resist）-- 作为掩膜用来图形转移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于测试光学系统把相邻的目标形成分离图像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目标能形成影像的纵向距。 关键尺寸（Critical dimensi***-CD）-- 一个特征图形的尺寸，包括线宽、间隙、或者 关联尺寸。

六、酸/碱体积比的检验方法： 开机运行到设定温度后(约 15~20 分钟),测试酸液及碱液的体积比,在规定范围内方可进行生产。影响侧蚀的因素有很多﹐下面将概述几点﹕蚀刻方式﹕浸泡和鼓泡式蚀刻会造成较大的侧蚀﹐泼溅和喷淋式蚀刻的侧蚀较小﹐尤以喷淋蚀刻的效果很好。 1．酸液 1）新配酸液和使用过的酸液的测定 a.将酸液稀释 用吸量管吸取 10ml 酸液，放入 100ml 容量瓶中，然后加入纯水至刻度处，盖好玻璃塞，摇匀备用； b.测定酸液当量体积 用吸量管吸取 10ml“a”之稀释液，放入锥瓶中，加入纯水 30ml 摇匀，再加入酚酞指示剂 1~3 滴并记下锥瓶 内溶液的体积为 V1，再取***（NaOH）标准溶液倒入滴管内一般以 50ml 为基准，然后缓慢滴入锥瓶中， 滴至粉红色后摇匀一分钟后不褪色为终点，计下此时锥瓶内的数据为 V2，根据以下公式计算出溶液的体积