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蚀刻液的 PH 值﹕

碱性蚀刻液的 PH 值较高时﹐侧蚀会增大。 为了减少侧蚀﹐PH 值一般应控制在 8.5 以下。 蚀刻液的密度﹕ 碱性蚀刻液的密度太低会加重侧蚀﹐选用高铜浓度的蚀刻液对减少侧蚀非常有利。在技术分为机械、化学和电化学方法等[1～4]，其中化学蚀刻具有工艺简单、操作方便、精度高和生产成本低等优点，适合于批量生产，蚀刻深度为20～200μm。 铜箔厚度﹕ 要达到小侧蚀的细导线的蚀刻﹐采用（超）薄铜箔。 而且线宽越细﹐铜箔厚度应越 薄。 因为, 铜箔越薄在蚀刻液中的时间会越短﹐侧蚀量就越小。 2. 提高基板与基板之间蚀刻速率的一致性 在连续的板蚀刻中﹐蚀刻速率的一致性越高﹐越能获得蚀刻均匀的板。 要达到这一 个要求﹐必须保证蚀刻液在蚀刻的整个过程始终保持在很好的蚀刻状态。

光刻和蚀刻技术，用光胶、掩膜、和紫外光进行微制造，由薄膜沉积，光刻和蚀刻 三个工序组成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆盖一层薄膜，薄膜的厚度为数埃到几十微米，称为薄膜 沉积。中间没粘透明胶带部分正好和不锈钢板的大小吻合，这样在涂耐腐蚀的感光油墨的时候，位置才会准确。然后在薄膜表面用甩胶机均匀地覆盖上一层光胶，将掩膜上微流控芯片设计 图案通过***成像的原理转移到光胶层的工艺过程称为光刻。 ? 光刻的质量则取决于光抗蚀剂（有正负之分）和光刻掩膜版的质量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）时，在图形区和非图形区产生不同的光吸收和 透过能力。

化学蚀刻（Chemical etching）-- 气态物质（中性原子团）与表面反应， 产物必定易挥发，也称为等离子蚀刻。 等离子增强蚀刻(Ion-enhanced etching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定 能量的离子改变衬底或产物；具有一定能量的离子改变衬底或产物层，这样，化学反应以后 能生成挥发性物质，亦称为反应离子蚀刻（RIE） 。 溅射蚀刻（Sputter etching）--具有一定能量的离子机械的溅射衬底材料。蚀刻设备的维护维护蚀刻设备的***关键因素就是要保证喷嘴的高清洁度及无阻塞物,使喷嘴能畅顺地喷射。 蚀刻速率（Etch rate）--材料的剥离速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 为单位计 量。 各向同性蚀刻（ Isotropic etch）-- 蚀刻速率在所有方向都是相同的。