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深圳市延铭标牌工艺有限公司

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深圳市延铭标牌工艺有限公司
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韶关丝印面板价格品质***无忧

发布时间:2020-08-19 09:51:24        










蚀刻标牌的具体步骤

1、配液

用作蚀刻剂的是三氯化铁溶液。它的波美浓度在蚀刻环节中非常重要,直接影响到蚀刻的速度。适宜的波美浓度是38到40度之间。

丈量浓度的办法是;将三氯化铁溶液倒在细长的量杯中,刺进波美计,挨着液面的数值就是它的波美浓度。

如今的波美浓度是42度,有些太浓,咱们可以加水进行稀释,拌和均匀后,取样从头进行測量。若是波美浓度太低,则可参加高浓度的三氯化铁溶液。波美浓度分配适宜后,倒入蚀刻机的箱体内,把盖子盖好。

2、开机

蚀刻机运用的是380V电源。翻开电源开关,电源指示灯亮。发动酸泵,让三氯化铁溶液在机器内循环,调查温度表高不能超过50度。按下传送带开关,进行整机试运行。

3、试刻

这台精细摇晃蚀刻机传送带可以无级调速,冲刷工夫的长短可以在这里进行调整。

蚀刻机运转正常后,先在入料口放一块试刻用的不锈钢板,传送带会把它缓慢的送入机器内部。按下蚀刻开关,机器内的喷嘴就开端喷出三氯化铁溶液,它的压力基本上是稳定的。使用喷淋式蚀刻机,有数个喷头从上向下喷洒腐蚀液,金属板放在下面的传送带上,缓慢移动,控制速度,进行腐蚀。三氯化铁溶液不断地冲刷不锈钢板的外表,溶液中的三价铁离子疾速氧化不锈钢板,不锈钢板就被蚀刻下去了。

冲刷工夫的长短就决议了蚀刻的深度。若是蚀刻太浅,要下降传送带行进速。

大约3分钟后, 咱们可在出料口拿到试刻的不锈钢板,用手试摸一下蚀刻的深浅程度,若是手指上感到有点凹凸的觉得,这时的深度在大概在0.1毫米,就可以开端正式蚀刻。

4、正式蚀刻

把坚好膜并在不和贴上了防腐保护膜的那两块不锈钢板放在入料口的适宜方位,按下蚀刻开关,蚀刻机就开端对不锈钢板进行蚀刻, 3分钟后,咱们就在出料口看到了的这两块不锈钢板,细心检查一下,像这样就达到了咱们恳求的蚀刻作用。

5、褪膜

先把蚀刻好的不锈钢板放入清水中,用洁净的布将三氯化铁溶液洗去。然后放入另一个盛有清水的容器中,摇摆几下,将外表洗洁净,再把不锈钢板不和贴的防腐保护膜撕掉,将这两块不锈钢板,放在盛有固体的容器里,按1:10左右的份额参加七、八十度的热水,摇摆容器,使充沛的溶解。咱们可以看到,两块不锈钢板上残留的膜城市慢慢地悉数退去。例如﹕酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3﹐而碱性氯化铜蚀刻系数可达到4。摇摆到水温为二、三十度了,才可以拿洁净的布将它们擦拭洁净。再把不锈钢板放入盛有清水的桶中进行漂洗。



1.6 蚀刻

可用两种方法进行蚀刻: A、电解法:电流 15-50A,电压 3-5V,电解液:20%氯化铵、20%***,阳极用钛板。电解过程中及时去掉阳极上浮 留电解铜,以保证电流正常通过。 B、三氯化铁法:选用较纯的三氯化铁泡成 30 波氏度溶液,流 动腐蚀。蚀刻是一种采用采用化学手段侵蚀材料,制作标牌的方法,是传统标牌制作方法之一。同一个版面要达到深浅不同效果,要在头次达到浅度要求 后,清洗表面,烘干。在已达到浅度蚀刻处涂上(印上)普通耐蚀刻 油墨,再行二次蚀刻。 1.7 除膜 将已蚀刻完毕的铜板放在水、 30∶1∶0.1 溶液 中加温至 70℃除膜、清洗出光。 1.8 电镀 除膜后的铜板图案已经很亮,很细,无须再行镀亮铜,可直接 进行镀镍 40-90 秒,再行镀金、镀银。



***必须要通过 芯片上的小孔才能进入通道网络,所以通过微加工技术所制得的具有不同结构和功 能单元的微流控芯片基片,在与盖板封接之前必须在微通道末端打一小孔,组装成 微流控成品才能使用。小孔可钻在基片上,也可钻在盖板上。 ? 玻璃芯片的打孔方法包括金刚石打孔法,超声波打孔法,和激光打孔法。本文针对国产不锈钢板材,研究了化学蚀刻、化学抛光和电镀铬工艺参数不锈钢蚀刻标牌不锈钢化学蚀刻配方和工艺参数为:fecl3660~850g/l、hcl(36%)8~20ml/l,添加剂10~20g/l,温度45~50℃。打孔后一 定要将芯片制作和打孔过程中所残留的小颗粒、有机物和金属物等清除干净,包括 化学清洗,提高芯片表面平整度,以保证封接过程顺利进行 对玻璃和石英材质刻蚀的微结构一般使用热键合方法,将加工好的基片和相同材质的 盖片洗净烘干对齐紧贴后平放在高温炉中,在基片和盖片上下方各放一块抛光过的石墨板, 在上面的石墨板上再压一块重 0.5kg 的不锈钢块,在高温炉中加热键合。


条宽损失 (Etch bias) 过蚀刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀 性。 残留物 (Residues) – 在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。发动酸泵,让三氯化铁溶液在机器内循环,调查温度表高不能超过50度。 微掩膜(Micro-masking)-- 由于微粒,薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。 糊胶(Resist reticulation)-- 温度超过 150 摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。 纵横比(Aspect ratio)-- 器件结构横截面深度和宽度的比率。


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